RF GaN(무선 주파수 갈륨 질화물) 시장 규모 및 산업 점유율 - 성장 추세 및 예측(2025-2032)

유형별 분석:

세그먼트 유형은 GaN-on-Si, GaN-on-SiC, 기타로 구분됩니다.

GaN-on-SiC 세그먼트는 2024년 RF GaN(무선 주파수 질화갈륨) 시장에서 52.4%의 가장 큰 시장 점유율을 차지했습니다. 열전도도 기반의 GaN-on-SiC는 높은 전력 밀도와 고온에서 소자를 작동시킬 수 있는 주요 특징을 제공함으로써 해당 세그먼트 유형별 시장 성장을 견인하고 있습니다. 더욱이, GaN-on-SiC는 결정의 결함 밀도를 낮추고 누설을 줄여 제품 신뢰성을 향상시키는 완벽한 조합으로 여겨지며, 이는 시장 성장을 더욱 촉진하는 경향이 있습니다.

예를 들어, 2020년 8월, MACOM Technology는 GaN-on-SiC 기반 전력 증폭기 신제품 MAPC-A1000과 MAPC-A1100을 출시하여 다양한 산업 분야에서 GaN-on-SiC의 적용을 확대했습니다.

게다가, GaN-on-Si 분야는 예측 기간 동안 가장 빠른 연평균 성장률(CAGR)로 성장할 것으로 예상됩니다. GaN-on-Si 기술은 비용 측면에서도 가치 있는 증착 기술을 보여줍니다. 더욱이, GaN-on-Si는 상당한 전압에서 작동할 수 있어 저전압에서 작동하는 경향이 있는 소형 장치에 대한 적용을 확대할 것입니다.

제품 유형 기준:

제품 유형 세그먼트는 RF 트랜지스터, RF 증폭기, 기타로 세 갈래로 나뉩니다.

트랜지스터 부문은 2024년 RF GaN(무선 주파수 질화갈륨) 시장에서 가장 큰 시장 점유율을 차지했습니다. GaN 트랜지스터는 Eudyna Corporation에서 개발한 HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 형태로 처음 도입된 이후 10년 동안 광범위하게 적용되어 왔습니다. 높은 선형성, 넓은 주파수 범위, 높은 전력 밀도 등의 특징은 GaN 기반 RF 트랜지스터 시장 성장을 촉진해 왔습니다. 또한, 고주파 및 전력을 사용하는 전자 시스템에 대한 요구 증가는 RF 트랜지스터 부문의 시장 성장을 견인하고 있습니다.

증폭기 부문은 예측 기간 동안 RF GaN(무선 주파수 질화갈륨) 시장에서 가장 빠른 연평균 성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상됩니다. 증폭기의 성장은 통신 시스템에 필요한 무선 신호를 증폭하는 장비의 광범위한 응용 분야에 기인합니다. 또한, 전 세계 항공우주 및 방위 산업의 확장으로 인해 예측 기간 동안 시장 성장이 더욱 가속화될 것으로 예상됩니다. 예를 들어, 2021년 12월, CAES는 항공우주 및 방위 분야 전자전 시스템용 광대역 GaN 기반 고전력 RF 증폭기를 출시했습니다.

응용 분야별:

응용 분야는 레이더 및 항공전자, 하이브리드 및 EV 부품, 무선 인프라, 위성 통신, 유선 광대역, 데이터 센터, 견인 모터 등으로 구분됩니다.

레이더 및 항공전자는 2024년에 가장 큰 시장 점유율을 차지할 것이며, 예측 기간 동안 RF GaN(무선 주파수 질화갈륨) 시장에서 가장 빠른 연평균 성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상됩니다. 다양한 레이더 대역에서 작동하는 고급 제품에 대한 수요 증가로 인해 레이더 및 항공전자 분야에서 RF GaN 시장 성장이 가속화되고 있습니다. 예를 들어, Qorvo, Inc.는 9~10.5GHz 주파수의 X-밴드 레이더에서 작동하도록 특별히 설계된 질화갈륨 MMIC 프런트엔드 모듈(FEM)인 QPM2637을 출시했습니다. 또한, QPM2637은 QGaN25 0.25um GaN-on-SiC 공정으로 제조됩니다.

지역별:

지역별 세그먼트는 북미, 유럽, 아시아 태평양, 중동 및 아프리카, 라틴 아메리카를 포함합니다.

북미 시장은 2024년 4억 8,704만 달러에서 2032년까지 19억 3,435만 달러 이상으로 성장할 것으로 예상되며, 2025년에는 5억 7,059만 달러 증가할 것으로 예상됩니다. 또한, 미국은 2025년 이 지역에서 58.56%의 최대 매출 점유율을 기록했습니다. 북미는 MACOM Technology, Qorvo Inc., WOLFSPEED, Inc. 등 주요 기업들의 진출로 GaN 기반 제품 연구 개발에 크게 기여하고 있습니다. 이 지역은 반도체, 항공우주 및 방위, 통신 등 다양한 분야에서 지속적인 성장을 보이고 있으며, RF GaN 시장 성장에 박차를 가하고 있습니다. 예를 들어, 2021년 12월, Transphorm, Inc.는 미국 국방고등연구계획국(DARPA)으로부터 상업용 및 국방부(DoD) 무선 주파수 애플리케이션용 GaN 솔루션 제조를 위한 90만 달러 규모의 계약을 체결했습니다.

아시아 태평양 지역은 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 19.6%로 가장 빠른 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 이 지역의 급속한 도시화, 산업화, 그리고 개발 등의 요인으로 인해 이 지역의 시장 성장에 수익성 있는 기회가 창출되고 있습니다. 또한, 5G 네트워크 구축 증가에 따른 지역 내 국방 및 통신 산업의 확장은 예측 기간 동안 해당 지역의 RF GaN 기술 도입에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.