ID : CBI_1511 | 更新日 : | 著者 : CBI カテゴリ : 半導体および電子機器
絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)市場規模は、2023年の67億9,244万米ドルから2031年には128億1,404万米ドルを超えると推定され、2024年には72億3,232万米ドルに達すると予測されています。2024年から2031年にかけて年平均成長率(CAGR)は8.3%です。
絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)は、バイポーラ・トランジスタと電界効果トランジスタ(FET)の機能を兼ね備えた半導体デバイスです。オン時にはMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)のように動作し、効率的なスイッチングと最小限の電力損失を実現します。オフ時にはバイポーラトランジスタのように動作し、高電圧・高電流処理能力を実現します。さらに、モーター駆動、誘導加熱、再生可能エネルギーシステムなどの用途におけるパワーエレクトロニクス分野でも広く使用されています。さらに、高電圧処理能力、大電流処理能力、高速スイッチング時間を備えており、堅牢な性能を発揮します。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の上述の特徴は、自動車、製造、エネルギー・公益事業、通信などの業界における導入拡大の大きな要因となっています。
産業界は最適化に努めていますオペレーションの効率化とエネルギー消費量の削減のため、高度なパワーエレクトロニクスソリューションへの需要が高まっています。IGBTは、エネルギー使用量の正確な制御を可能にすることで、モーター駆動、ロボット工学、プロセスオートメーションなどのアプリケーションにおいて重要な役割を果たすことができます。さらに、インダストリー4.0とモノのインターネット(IoT)への移行も市場をさらに牽引しており、コネクテッドシステムはスマートデバイスや機械をサポートするために効率的な電力管理を必要としています。メーカーは、効率、信頼性、性能を向上させる技術をますます求めており、IGBTは現代の産業用アプリケーションにとって魅力的な選択肢となっています。
そのため、産業オートメーションにおけるエネルギー効率への関心の高まりが、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の成長を後押ししています。
IGBTは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などの他の半導体デバイスと比較して、一般的に製造コストが高くなります。この高コストは主に、IGBTの製造プロセスが複雑であることに起因しており、IGBTは高性能と信頼性を実現するために、精密な材料と高度な技術を必要とします。コスト重視の多くのアプリケーション、特に発展途上地域や厳しい予算で運営されている業界では、これらのトランジスタへの初期投資額の高さが、意思決定者がより手頃な代替品よりもIGBTを選択することを躊躇させる要因となっています。
さらに、業界はMOSFETやその他の低コストのソリューションに傾倒しており、効率やパワーは劣る可能性はあるものの、特定のニーズに対してより経済的な選択肢となります。さらに、コストの高さは、コストが優先されることが多い小規模な再生可能エネルギープロジェクトや重要度の低いアプリケーションでは、IGBT技術の導入を制限しています。そのため、トランジスタ部品の高コストは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の需要を大きく抑制し、様々なアプリケーションへの採用に影響を与えています。
自動車業界は大きな変革期を迎えており、電気自動車(EV)とハイブリッド電気自動車(HEV)への明確なシフトが進んでいます。この移行は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)がこれらの車両の電力管理システムに不可欠な部品となる大きなチャンスをもたらします。IGBTは効率的なエネルギー変換と制御を可能にし、EVパワートレインはエネルギー損失を最小限に抑えながら最適な性能レベルで動作することを保証します。さらに、自動車メーカーが電気自動車の航続距離と効率の向上に努める中で、先進的なIGBT技術への要求は飛躍的に高まると予想されます。IGBTは、電気駆動システムに必要な高電流・高電圧の管理に不可欠な高速スイッチング能力を実現します。さらに、これにより、よりスムーズな加速、制動時のエネルギー回生効率の向上、そして車両全体の性能向上が実現します。
市場動向の分析から、自動車技術とIGBT技術の相乗効果が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の機会拡大につながることが期待されます。
構造に基づき、市場は非パンチスルー型、パンチスルー型、トレンチゲート型に分類されます。
構造のトレンド:
トレンチゲートIGBTは2023年に最大の売上高を占め、予測期間中に最も高いCAGRを記録すると予想されています。
構成に基づいて、市場はディスクリートIGBTとIGBTモジュールに分類されます。
構成のトレンド:
IGBTモジュールは、2023年に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場全体の中で最大の収益を占め、予測期間中に最も高いCAGRを記録すると予想されています。
電力定格に基づいて、市場は低電力、中電力、高電力に分類されます。
電力定格のトレンド:
2023年の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場全体のシェアのうち、中電圧トランジスタが最大の収益シェアを占め、47.22%を占めました。
予測期間中、高電圧分野は最も高いCAGRを記録すると予想されています。
アプリケーションに基づいて、市場は産業用、住宅用、自動車用、再生可能エネルギー用、その他に分類されます。
アプリケーションのトレンド:
産業分野は2023年に最大の収益シェアを占め、予測期間中に最も高いCAGRを記録すると予想されています。
対象地域は、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、中東・アフリカ、ラテンアメリカです。
アジア太平洋地域の市場規模は、2023年に17億1,107万米ドルと評価されました。さらに、2024年には18億2,790万米ドルに成長し、2031年には33億5,600万米ドルを超えると予測されています。このうち、中国が最大の収益シェアを占め、31.3%を占めています。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場分析によると、アジア太平洋地域では急速な工業化が進んでおり、様々な用途で中電圧および高電圧IGBTの需要が大幅に高まっています。中国、日本、韓国などの国々は半導体チップ生産の最前線に立っており、高電圧IGBTに大きなビジネスチャンスを生み出しています。さらに、太陽光発電所や風力発電施設といった再生可能エネルギープロジェクトへの多額の投資も、この地域におけるIGBTの採用拡大に寄与しています。産業の拡大が続く中、アジア太平洋市場はIGBTの未来を形作る上で重要な役割を果たすことになるでしょう。
北米の市場規模は、2023年の22億6,290万米ドルから2031年には43億424万米ドルを超えると推定されており、2024年には24億1,110万米ドルの増加が見込まれています。北米は、高度な産業オートメーションと主要企業の強力なプレゼンスに牽引され、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の拡大において大きなシェアを占めています。この地域では電気自動車(EV)市場が急成長しており、EVパワートレインの効率的な電力管理に不可欠な高電圧IGBTの需要が大幅に増加しています。さらに、太陽光発電や風力発電プロジェクトを含む再生可能エネルギーインフラへの投資増加も、エネルギー変換と系統統合において重要な役割を果たす中電圧・高電圧IGBTの採用をさらに後押ししています。
ヨーロッパは持続可能性とエネルギー効率を強く重視しており、特に電気自動車や再生可能エネルギーシステムにおいて、様々な用途でIGBTの需要が高まっています。グリーンテクノロジーを推進する政府政策や炭素排出量削減に向けた取り組みは、地域全体でIGBTの採用を促進し、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の拡大を促進しています。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場分析によると、再生可能エネルギープロジェクトと産業オートメーションへの関心の高まりを背景に、ラテンアメリカのIGBT市場は成長を遂げつつあります。同地域の政府がエネルギー効率向上のための支援策を実施するにつれて、IGBTの需要は増加すると予想されます。
中東およびアフリカでは、現在進行中のインフラ開発プロジェクトにより、特に発電・配電用途において、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に大きな機会が創出されると予想されます。再生可能エネルギーへの重点化を含む、エネルギー源の多様化に向けた同地域の取り組みは、中電圧および高電圧IGBTの需要を促進するでしょう。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場は競争が激しく、主要プレーヤーは国内外市場向けに最適化されたエネルギー伝送を提供しています。主要プレーヤーは、研究開発(R&D)、製品イノベーション、そしてエンドユーザーへの製品投入において、複数の戦略を採用することで、世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場における確固たる地位を維持しています。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)業界の主要企業は以下のとおりです。
製品リリース:
製品展開:
レポートの属性 | レポートの詳細 |
調査タイムライン | 2018年~2031年 |
2031年の市場規模 | 128億1,404万米ドル |
CAGR (2024~2031年) | 8.3% |
構造別 |
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構成別 |
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定格電力別 |
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用途別 |
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地域別 |
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主要プレーヤー |
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北米 | 米国 カナダ メキシコ |
ヨーロッパ | 英国 ドイツ フランス スペイン イタリア ロシア ベネルクス その他ヨーロッパ |
アジア太平洋地域 | 中国 韓国 日本 インド オーストラリア ASEAN その他アジア太平洋地域 |
中東およびアフリカ | GCC トルコ 南アフリカ その他中東・アフリカ地域 |
ラテンアメリカ | ブラジル アルゼンチン チリ その他ラテンアメリカ |
レポート対象範囲 |
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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)の特徴を組み合わせた半導体デバイスです。オン時にはMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)のように動作し、効率的なスイッチングと最小限の電力損失を実現します。オフ時にはバイポーラトランジスタのように動作し、高電圧・高電流処理能力を実現します。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場規模は、2023年の67億9,244万米ドルから2031年には128億1,404万米ドルを超えると推定され、2024年には72億3,232万米ドルにまで拡大し、2024年から2031年にかけて8.3%のCAGRで成長すると予測されています。
よりエネルギー効率が高く環境に優しい鉄道システムへの移行が、自動車分野におけるIGBTの採用を促進しています。IGBTは、エネルギー管理の改善、排出量の削減、そして最適な性能を実現します。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場における主要企業は、インフィニオンテクノロジーズAG(ドイツ)、三菱電機株式会社(日本)、富士電機株式会社(日本)、STマイクロエレクトロニクス(スイス)、ビシェイ・インターテクノロジー(米国)、セミクロン(ドイツ)、ネクスペリア(オランダ)、オン・セミコンダクター(米国)、テキサス・インスツルメンツ(米国)、ルネサス エレクトロニクス株式会社(日本)、日立製作所(日本)、株式会社東芝(日本)、AOS(米国)、IXYSコーポレーション(米国)などです。