Marktgröße für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente:
Der Markt für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente wird voraussichtlich bis 2032 ein Volumen von über 19,08 Milliarden US-Dollar erreichen, ausgehend von 4,61 Milliarden US-Dollar im Jahr 2024. Bis 2025 wird ein Wachstum von 5,57 Milliarden US-Dollar prognostiziert, was einer jährlichen Wachstumsrate von 22,2 % entspricht.
Marktumfang und -übersicht für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente:
Galliumnitrid (GaN)-Halbleiterbauelemente sind elektronische Bauelemente aus einer Verbindung von Gallium und Stickstoff. Die Bauelemente bieten im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauelementen eine verbesserte Leistung hinsichtlich Effizienz und Leistungsdichte. Darüber hinaus treiben Vorteile wie höhere Effizienz, höhere Leistungsdichte, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und verbessertes Wärmeverhalten den Markt für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente voran. Das Bauelement wird zudem für eine Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter Elektrofahrzeuge, 5G und Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Rechenzentren und mehr. Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente (GaN) erfreuen sich aufgrund wichtiger Trends wie dem steigenden Bedarf an höherer Energieeffizienz in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen und 5G-Infrastruktur sowie der kontinuierlichen Entwicklung kompakter und leistungsstarker elektronischer Komponenten einer rasant steigenden Verbreitung.
Marktdynamik für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente – (DRO) :
Wichtige Treiber:
Wachsende Unterhaltungselektronikbranche treibt den Markt an
Der expandierende Sektor der Unterhaltungselektronik ist ein wichtiger Katalysator für den Markt für Galliumnitrid (GaN)-Halbleiterbauelemente. Dieser Anstieg ist auf die steigende Nachfrage nach kompakten und effizienten elektronischen Geräten zurückzuführen. Darüber hinaus erwarten Verbraucher schnelle Lademöglichkeiten, kompakte Formfaktoren und eine längere Akkulaufzeit von Smartphones, Laptops und anderen elektronischen Geräten. Die GaN-Technologie erfüllt diese Anforderungen, da sie eine hohe Leistungsdichte und schnelle Schaltgeschwindigkeiten bietet, was zur Entwicklung kleinerer und effizienterer Ladegeräte und Netzteile führt.
- Beispielsweise zeigt der Bericht „The Mobile Economy Asia Pacific 2024“ Laut GSMA erreichten die Mobilfunkverträge im asiatisch-pazifischen Raum im Jahr 2023 1,8 Milliarden, begleitet von einem deutlichen Anstieg der mobilen Internetdurchdringung.
Die zunehmende Verbreitung von Smartphones und die zunehmende Verbreitung von Hochgeschwindigkeitsinternet treiben den Markt an.
Wichtigste Einschränkungen:
Hohe Herstellungskosten und die Konkurrenz durch Siliziumkarbid (SiC) schränken den Markt ein
Hohe Herstellungskosten und die Konkurrenz durch Siliziumkarbid (SiC)-basierte Bauelemente stellen erhebliche Einschränkungen für den Markt für GaN-Halbleiterbauelemente dar. Die GaN-Produktion, insbesondere für Hochleistungsanwendungen, erfordert komplexe und teure Prozesse. Dies führt zu höheren Preisen im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Bauelementen und behindert die breite Akzeptanz in kostensensitiven Anwendungen. Darüber hinaus stellt SiC insbesondere bei Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen eine enorme Herausforderung dar. SiC bietet vergleichbare Vorteile wie GaN hinsichtlich Effizienz und Leistungsdichte, was den Markt jedoch begrenzt. Daher wird erwartet, dass die oben genannten Faktoren den Markt im Prognosezeitraum einschränken werden.
Zukünftige Chancen:
Wachstum bei Elektrofahrzeugen treibt Marktchancen für Galliumnitrid-Halbleiter voran
Das rasante Wachstum des Marktes für Elektrofahrzeuge (EV) bietet erhebliche Wachstumschancen für Galliumnitrid-Halbleiter (GaN). Elektrofahrzeuge benötigen hocheffiziente Leistungselektronik für verschiedene Funktionen, darunter Bordladegeräte, DC/DC-Wandler und Traktionswechselrichter. Die überlegenen Eigenschaften von GaN, wie höherer Wirkungsgrad und höhere Leistungsdichte, erfüllen diese Anforderungen direkt.
- Laut der Internationalen Energieagentur (IEA) setzten die europäischen Elektroautoverkäufe ihren Aufwärtstrend fort und erreichten im Jahr 2024 rund 3,4 Millionen Einheiten. Dies entspricht einem Anstieg von 6,3 % gegenüber den 3,2 Millionen verkauften Einheiten im Jahr 2023, wie die nebenstehende Grafik zeigt. Die Verkaufszahlen der Vorjahre lagen bei 2,7 Millionen im Jahr 2022 und 2,3 Millionen im Jahr 2021.
Mit dem Wachstum des Elektrofahrzeugmarktes wird die Nachfrage nach Hochleistungselektronik stark steigen und einen bedeutenden Markt für GaN-Bauelemente schaffen, der wiederum die Marktchancen für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente erhöht.
Marktsegmentanalyse für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente:
Nach Produkt:
Basierend auf dem Produkt ist der Markt in GaN-Hochfrequenzbauelemente, Optohalbleiter und Leistungselektronik segmentiert. Halbleiter.
Produkttrends:
- Die zunehmende Nutzung hoher Bandbreiten treibt den Bedarf an GaN-HF-Bauelementen an und treibt damit den Markt an.
- Der zunehmende Trend zu 5G und anderen fortschrittlichen Kommunikationstechnologien spielt eine wichtige Rolle für den Markt.
Optohalbleiter machten im Jahr 2024 mit 33,93 % den größten Umsatzanteil aus.
- Die zunehmende Entwicklung hocheffizienter LEDs für Anwendungen wie Allgemeinbeleuchtung und Displays treibt die Nachfrage nach Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen an.
- Darüber hinaus treibt die zunehmende Verbreitung von Mikro-LED-Displays für Wearables, Tablets und Automobildisplays das Marktwachstum für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente voran.
- Darüber hinaus werden Anwendungen in der optischen Datenspeicherung, im Laserschneiden, und medizinische Geräte treiben den Markt für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente voran.
- So ging beispielsweise ROHM Co., Ltd. im Dezember 2024 eine Partnerschaft mit der Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC) ein, um Galliumnitrid-(GaN)-Leistungsbauelemente für Elektrofahrzeuge zu entwickeln und in Serie zu produzieren.
- Laut Marktanalyse treiben die Entwicklung hocheffizienter LEDs und der Trend zu Mikro-LEDs den Markt an.
Leistungshalbleiter werden im Prognosezeitraum voraussichtlich die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) verzeichnen.
- Der zunehmende Fokus auf Effizienzsteigerung sowie die Reduzierung von Abmessungen und Gewicht von Elektrofahrzeugantrieben treibt den Marktanteil von Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen voran.
- Darüber hinaus treibt der steigende Bedarf an Schnelllademöglichkeiten in Unterhaltungselektronik die Nachfrage nach Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen an.
- So kündigte die Mitsubishi Electric Corporation im November 2024 eine Investition von rund 66,06 Millionen US-Dollar in den Bau einer neuen Anlage zur Montage und Prüfung von Leistungshalbleitermodulen in Japan an. Die Inbetriebnahme der Anlage ist für Oktober 2026 geplant.
- Laut einer Marktanalyse für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente dürften der Bedarf an Schnellladelösungen in der Unterhaltungselektronik und die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen das Marktwachstum im Prognosezeitraum ankurbeln.
Nach Wafergröße:
Basierend auf der Wafergröße ist der Markt in 2-Zoll-, 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafer segmentiert.
Trends bei der Wafergröße:
- Der Übergang zu größeren Wafern wie 6 Zoll und 8 Zoll treibt den Marktanteil von Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen voran.
- Der wachsende Bedarf an großformatigen Wafern in Elektrofahrzeugantrieben und industriellen Motorantrieben treibt das Marktwachstum von Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen voran.
4-Zoll-Wafer werden im Jahr 2024 den größten Umsatzanteil erzielen.
- Der wachsende Bedarf an HF- und Leistungsbauelementen treibt den Galliumnitrid-Markt an. Markt für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente.
- Die zunehmende Verbreitung optoelektronischer Bauelemente in der Telekommunikation und Medizin treibt den Markt für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente zusätzlich an.
- Beispielsweise bietet Sumitomo Chemical 4-Zoll-GaN-Wafer in seinem Produktangebot an. Das Unternehmen strebt die beschleunigte Entwicklung von GaN-Wafern mit großem Durchmesser für Anwendungen in der Leistungselektronik an.
- Analysen zufolge treiben der wachsende Bedarf an HF- und Leistungsbauelementen sowie die zunehmende Verbreitung optoelektronischer Bauelemente das Marktwachstum für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente voran.
6-Zoll-Bauelemente werden im Prognosezeitraum voraussichtlich die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) verzeichnen.
- Der Bedarf an kostengünstiger Massenproduktion treibt die Einführung von 6-Zoll-Wafern voran und beflügelt damit die Galliumnitrid-Halbleiterindustrie.
- Darüber hinaus treibt die zunehmende Verwendung von 6-Zoll-Wafern in der 5G-Infrastruktur und anderen HF-Anwendungen das Marktwachstum für Galliumnitrid-Halbleiter voran.
- Basierend auf einer Marktanalyse für Galliumnitrid-Halbleiter wird daher erwartet, dass der Bedarf an kostengünstiger Massenproduktion und -entwicklung in HF-Anwendungen den Markt im Prognosezeitraum ankurbeln wird.
Nach Endverwendung:
Basierend auf der Endverwendung ist der Markt in die Branchen Automobil, Unterhaltungselektronik, Verteidigung & Luft- und Raumfahrt, Gesundheitswesen, Industrie & Energie sowie Informations- und Kommunikationstechnologie segmentiert. Kommunikationstechnologie und mehr.
Trends in der Endanwendung:
- Der Bedarf an Echtzeitüberwachung und Patientenmanagement in Krankenhäusern treibt den Bedarf an Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen.
- Der zunehmende Fokus auf Sicherheitssysteme und Energiemanagementsysteme im BFSI-Sektor treibt den Markt an.
Unterhaltungselektronik wird im Jahr 2024 den größten Umsatzanteil erzielen.
- GaN ermöglicht die Herstellung kleinerer und leichterer Netzteile für verschiedene Unterhaltungselektronikgeräte, was wiederum den Markt antreibt.
- Darüber hinaus treibt der zunehmende Fokus auf die Verbesserung der Effizienz und Audioqualität von Verstärkern in Audiosystemen den Markt an.
- Beispielsweise laut Germany Trade & Invest (GTAI) Der Sektor Unterhaltungselektronik in Deutschland wurde im Jahr 2024 auf 25,9 Milliarden Euro (26,97 Milliarden US-Dollar) geschätzt. Analysen zufolge treiben die Miniaturisierung von Netzteilen und die Audioverbesserung die Markttrends für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente voran.
Der Automobilsektor wird im Prognosezeitraum voraussichtlich die höchste jährliche Wachstumsrate verzeichnen.
- Der wachsende Bedarf an fortschrittlichen Fahrerassistenzsystemen dürfte die Einführung von Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen vorantreiben.
- Darüber hinaus treibt die Entwicklung effizienter und kompakter kabelloser Ladesysteme für Elektrofahrzeuge den Markt an.
- Laut der Internationalen Organisation der Kraftfahrzeughersteller erreichte die weltweite Pkw-Produktion im Jahr 2023 68.020.265 Einheiten, was einem Anstieg von 11 % gegenüber 2022 entspricht.
- Daher dürften die Einführung fortschrittlicher Fahrerassistenzsysteme und die Weiterentwicklung des kabellosen Ladens die Markttrends für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente vorantreiben.
Regionale Analyse:
Die abgedeckten Regionen sind Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Naher Osten und Afrika sowie Lateinamerika.
- Laut dem Indischen Telekommunikationsministerium belief sich der Gesamtausbau von 5G-Basisstationen in Indien bis Dezember 2024 auf 464.990. Dies entspricht einem Anstieg von 10,8 % gegenüber 419.845 Basisstationen im Januar 2024. Diese Faktoren treiben die Verbreitung von Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen voran und beflügeln damit den Markt im asiatisch-pazifischen Raum.
Nordamerika wird voraussichtlich bis 2032 einen Wert von über 7,26 Milliarden US-Dollar erreichen, ausgehend von 1,78 Milliarden US-Dollar im Jahr 2024. Bis 2025 wird ein Wachstum von 2,15 Milliarden US-Dollar prognostiziert. Der starke Fokus der nordamerikanischen Region auf Spitzentechnologien, insbesondere in den Bereichen Verteidigung, Luft- und Raumfahrt und Telekommunikation, bietet lukrative Marktaussichten. Darüber hinaus ist der steigende Bedarf an energieeffizienter Leistungselektronik in Rechenzentren und Elektrofahrzeugen ein wesentlicher Faktor.
- So hat die US-Regierung für das Haushaltsjahr 2024 ein Budget von 883,7 Milliarden US-Dollar für die nationale Verteidigung bereitgestellt, davon 841,4 Milliarden US-Dollar für das US-Verteidigungsministerium. Diese Faktoren dürften den Markt in Nordamerika im Prognosezeitraum ankurbeln.
Die regionale Trendanalyse zeigt, dass die steigende Nachfrage nach energieeffizienten Lösungen für die Fahrzeugelektrifizierung und industrielle Stromversorgung in Europa den Markt antreibt. Darüber hinaus wirken sich die zunehmende 5G-Durchdringung und der wachsende Markt für Unterhaltungselektronik im Nahen Osten und Afrika als wichtige Treiber in der Region aus. Darüber hinaus ebnen der Ausbau der Telekommunikationsinfrastruktur und die zunehmende Nutzung energieeffizienter Lösungen im Bereich der erneuerbaren Energien den Weg für das Wachstum des Marktes in Lateinamerika.
Wichtigste Akteure und Marktanteile:
Der globale Markt für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente ist hart umkämpft. Wichtige Akteure beliefern nationale und internationale Märkte mit Produkten. Wichtige Akteure verfolgen verschiedene Strategien in Forschung und Entwicklung (F&E), Produktinnovation und Markteinführungen, um ihre Position in der Branche der Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente zu behaupten. Zu den wichtigsten Akteuren im Markt für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente gehören:
- Efficient Power Conversion Corporation (USA)
- Fujitsu Ltd. (Japan)
- Toshiba Corporation (Japan)
- Transphorm, Inc. (USA)
- Cambridge GaN Devices (Großbritannien)
- Infineon Technologies AG (Deutschland)
- NTT Advanced Technology Corporation (Japan)
- NXP Semiconductors (Niederlande)
- Qorvo, Inc (USA)
- Texas Instruments Incorporated (USA)
Aktuelle Branchenentwicklungen:
Produkteinführungen:
- Im Juni 2023 Qorvo hat zwei neue Produkte für 5G-Basisstationen herausgebracht: QPB3810, einen GaN-Leistungsverstärker für Massive MIMO, und den QPB9362, einen rauscharmen Front-End-Verstärker für 5G TDD. Diese Komponenten erweitern das 5G-Portfolio von Qorvo und sind Teil eines neuen Referenzdesigns, das die Einführung der Massive-MIMO-Technologie vereinfacht und beschleunigt.
Innovationen:
- Im November 2024 entwickelten Cambridge GaN Devices (CGD) und IFPEN eine Demonstration eines leistungsstarken, energieeffizienten 800-VDC-Wechselrichters mit den ICeGaN 650-V-GaN-ICs von CGD. Dieser Wechselrichter erreicht eine höhere Leistungsdichte als SiC-basierte Bauelemente und bietet Vorteile wie höhere Effizienz, höhere Schaltfrequenzen, verbessertes Wärmemanagement und Modularität.
Finanzierungen:
- Im Februar 2025 sicherte sich Cambridge GaN Devices (CGD) eine Serie-C-Finanzierung in Höhe von 32 Millionen US-Dollar, um sein Wachstum in der Galliumnitrid-(GaN)-Leistungshalbleiterindustrie zu beschleunigen. Die Finanzierung unterstützt die Expansion des Unternehmens in Schlüsselmärkten und die Entwicklung seiner energieeffizienten Technologie.
Marktbericht zu Galliumnitrid-Halbleiterbauelementen:
| Berichtsattribute | Berichtsdetails |
| Zeitplan der Studie | 2019–2032 |
| Marktgröße 2032 | 19,08 Milliarden USD |
| CAGR (2025–2032) | 22,2 % |
| Nach Produkt |
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| Nach Wafergröße |
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| Nach Endverwendung |
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| Nach Regionen |
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| Wichtige Akteure |
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| Nord Amerika | USA Kanada Mexiko |
| Europa | Großbritannien Deutschland Frankreich Spanien Italien Russland Benelux Restliches Europa |
| APAC | China Südkorea Japan Indien Australien ASEAN Restlicher Asien-Pazifik-Raum |
| Naher Osten und Afrika | GCC Türkei Südafrika Restlicher MEA |
| LATAM | Brasilien Argentinien Chile Restlicher LATAM |
| Berichtsumfang |
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