ReRAM-Markt – Größe, Anteil, Branchentrends und Prognosen (2024 – 2031)

Nach Typ:

Basierend auf dem ReRAM-Typ ist der Markt in Oxid-basiertes ReRAM, Conductive Bridging RAM (CBRAM) und weitere segmentiert.

Trends im Typ:

• Die Nachfrage nach integriertem Oxid-basiertem ReRAM steigt. in Prozessoren und System-on-Chips für IoT und Edge Computing.
• Der Einsatz flexibler und tragbarer Elektronik führt die Nachfrage nach CBRAMs an.

Der oxidbasierte ReRAM hatte im Jahr 2023 mit 58,22 % den größten Umsatzanteil am gesamten ReRAM-Markt.

• Oxidbasierter resistiver Direktzugriffsspeicher (ReRAM) ist ein nichtflüchtiger Speichertyp, der es Metalloxiden ermöglicht, Daten durch Änderung des Widerstands eines Materials zu speichern.
• Der oxidbasierte ReRAM nutzt einen Schaltmechanismus, der die Migration von Sauerstoffleerstellen oder Metallionen innerhalb der Oxidschicht beinhaltet.
• Der oxidbasierte ReRAM verbessert die Leistung von Smartphones, Tablets und Laptops und bietet so zuverlässige Speicherlösungen für autonome Fahrsysteme und Elektrofahrzeuge.
• Im März 2022 brachte Fujitsu Memory Solution Ihr 12-Mbit-Oxid-basiertes ReRAM bietet die höchste Speicherdichte im ReRAM-Markt. Dieser NVM-Chip kann Zeichendaten speichern, die etwa 90 Zeitungsseiten entsprechen – und das alles in einem kompakten Gehäuse.
• Analysen zufolge treibt oxidbasiertes ReRAM mit kontinuierlichen Innovationen und steigender Nachfrage die Nachfrage nach ReRAMs an.

Conductive Bridging RAM (CBRAM) wird im Prognosezeitraum voraussichtlich die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) verzeichnen.

• Conductive Bridge RAM (CBRAM) ist eine Art ReRAM, das einen festen Elektrolyten verwendet und ein leitfähiges Metallfilament zwischen den Elektroden bildet, um den Widerstand zu ändern.
• CBRAM hat aufgrund seiner nichtflüchtigen Eigenschaften und schnellen Schaltgeschwindigkeiten große Aufmerksamkeit erregt und ist daher ein starker Kandidat für die Ablösung führender Speichertechnologien wie Flash.
• CBRAM hat aufgrund seiner nichtflüchtigen Eigenschaften und schnellen Schaltgeschwindigkeiten große Aufmerksamkeit erregt und ist daher ein starker Kandidat für die Ablösung führender Speichertechnologien wie Flash.
• Im Februar 2023 gab GlobalFoundries die Übernahme der Renesas Technology Company bekannt, die die Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM)-Technologie anbietet. Ziel der Übernahme ist es, CBRAM ab 2022 als eingebettete NVM-Option für den 22FDX-Silicon-on-Insulator-22-nm-Fertigungsprozess anzubieten. Der Speicher mit geringem Stromverbrauch ermöglicht Anwendungen im industriellen IoT, im Heimbereich und in Smartphones.
• Daher wird erwartet, dass die zunehmende Entwicklung im Bereich CBRAM die Markttrends im ReRAM-Markt im Prognosezeitraum ankurbeln wird.

Nach Anwendung:

Der Markt ist nach Anwendung segmentiert in eingebettete Speicher, eigenständige Speicher, neuromorphes Computing, Edge-KI-Verarbeitung und weitere.

Trends in der Anwendung:

• Die wachsenden Branchen Medizin, Transport und Industrie sind in hohem Maße auf eingebettete Systeme angewiesen.
• Tragbare Speicherlösungen in der Unterhaltungselektronik, der Automobilindustrie und der Industrie erhöhen die Nachfrage nach ReRAM.

Embedded Memory machte im Jahr 2023 den größten Umsatzanteil am gesamten ReRAM-Markt aus.

• ReRAM kann in Systeme wie Mikrocontroller, System-on-Chips (SoCs) und Prozessoren eingebettet werden, um die Leistung zu steigern, insbesondere im IoT und in der Unterhaltungselektronik.
• Embedded Memory ermöglicht Prozessoren von Geräten, um höchste Kapazität und ein geringeres Ausfallrisiko zu erreichen. Eingebetteter Speicher kann flüchtig und nichtflüchtig sein und wird von einem eingebetteten Betriebssystem betrieben.
• Im Februar 2024 brachte das japanische Flash-Speicherunternehmen KIOXIA seinen ersten eingebetteten Flash-Speicher UFS 4.0 für die Automobilindustrie auf den Markt. Dieser eingebettete Speicher ermöglichte ein Fahrzeugkommunikationssystem und einen Hochleistungsspeicher.
• Laut der Analyse treiben die zunehmenden Fortschritte im Bereich eingebetteter Speicher das Wachstum des Marktes für eingebettete ReRAM-Speicher voran.

Standalone-Speicher werden im Prognosezeitraum voraussichtlich die höchste jährliche Wachstumsrate verzeichnen.

• Standalone-Speicher sind Speichergeräte, die unabhängig von einem Computer oder einem anderen lokalen Gerät funktionieren. Sie werden typischerweise zum Speichern und Abrufen von Daten wie Bildern, Videos, Notizen und anderen Daten verwendet.
• Standalone-Speicher bieten Nutzern eine geeignete und portable Methode zum Speichern und Abrufen ihrer Daten, ohne dass ein Computer oder ein anderes Gerät erforderlich ist.
• Die Standards für Standalone-Speicher steigen im Automobilsektor, unter anderem durch die zunehmende Nutzung selbstfahrender Autos und die Integration fortschrittlicher Fahrassistenzsysteme. Die Entwicklung im Automobilsektor hat den Einsatz von Hochleistungsspeichern verstärkt und unterstützt das Marktwachstum.
• Im Februar 2024 testete Samsung seine erste 256-GB-SD-microSD-Karte, die eine schnellere Ladezeit als die aktuelle Schnittstelle bietet. Samsung bietet effektive Lösungen, um die wachsende Nachfrage nach mobilem Computing und geräteinterner KI zu bedienen.
• Daher wird erwartet, dass die zunehmende Nutzung von eigenständigem Speicher für tragbare Speicher die Markttrends für ReRAM im Prognosezeitraum ankurbeln wird.

Nach Endanwendung:

Basierend auf der Endanwendung ist der Markt für ReRAM in die Bereiche Unterhaltungselektronik, Automobilindustrie, Storage Class Memory (SCM), IoT-Geräte, Luft- und Raumfahrt, Medizintechnik und weitere segmentiert.

Trends in der Endanwendung:

• Innovationen in Materialwissenschaft und Fertigungsprozessen verbessern die Leistung und Skalierbarkeit von ReRAM.
• Das Segment Unterhaltungselektronik ist ein wichtiger Wachstumstreiber für den ReRAM-Markt.
• Der Vorstoß der Automobilindustrie hin zu intelligenten und autonomen Fahrzeugen Die Nachfrage nach zuverlässigen und leistungsstarken Speicherlösungen steigt.

Der Bereich Unterhaltungselektronik erzielte im Jahr 2023 den größten Umsatzanteil.

• In der Unterhaltungselektronik wird ReRAM zunehmend für überlegene Leistungsmerkmale integriert.
• Diese Technologie wird besonders wegen ihrer hohen Geschwindigkeit, ihres geringen Stromverbrauchs und ihrer Langlebigkeit geschätzt und eignet sich daher hervorragend für die hohen Anforderungen moderner Unterhaltungselektronik.
• Hersteller von Unterhaltungselektronik sind bestrebt, modernste Speichertechnologie in ihre Produkte zu integrieren. ReRAM wird zunehmend in Smartphones, Tablets, Laptops, Wearables und andere Verbrauchergeräte integriert.
• So gab beispielsweise OnePlus Mobile, ein führender Smartphone-Hersteller, im September 2024 bekannt, dass sein neuestes Flaggschiff-Modell mit ReRAM ausgestattet sein wird, um Leistung und Akkulaufzeit zu verbessern. Dieser Schritt unterstreicht die wachsende Bedeutung von ReRAM für die Entwicklung modernster Unterhaltungselektronik.
• Daher wird erwartet, dass ReRAM mit der Weiterentwicklung der Technologie eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der Zukunft der Unterhaltungselektronik spielen wird, da es verbesserte Leistung und ein besseres Benutzererlebnis bietet und so das Wachstum des ReRAM-Marktes vorantreibt.

Es wird erwartet, dass das Automobilsegment im Prognosezeitraum die höchste jährliche Wachstumsrate (CAGR) verzeichnet.

• Die Automobilindustrie benötigt zunehmend fortschrittliche Speicherlösungen, um die zunehmende Komplexität elektronischer Systeme und den Trend hin zu autonomen Fahrtechnologien zu unterstützen.
• Der Trend hin zu intelligenten und autonomen Fahrzeugen erhöht die Nachfrage nach zuverlässigen und leistungsstarken Speicherlösungen. Die hohe Lebensdauer und Stabilität von ReRAM machen es ideal für den Einsatz im Automobilsektor. Es verbraucht weniger Strom als herkömmliche Speichertechnologien.
• Im Februar 2024 zeigte Weebit Nanos ReRAM außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Ausdauer unter anspruchsvollen Automobilbedingungen und arbeitet effektiv bei extremen Temperaturen von bis zu 150 °C. Es zeichnet sich durch eine lebenslange Betriebsdauer mit beeindruckenden Zyklen- und Speicherkapazitäten sowie einer Lebensdauer von 100.000 Zyklen aus. Weebit Nano ReRAM eignet sich ideal für Automobilanwendungen und bietet Vorteile wie einfache Integration, Kosteneffizienz, Energieeffizienz und Strahlungstoleranz.
• Daher wird erwartet, dass der wachsende Automobilsektor das Wachstum des ReRAM-Marktes im Prognosezeitraum vorantreiben wird.

Regionale Analyse:

Die abgedeckten Regionen sind Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, der Nahe Osten und Afrika sowie Lateinamerika.

Der asiatisch-pazifische Raum wurde 2023 auf 212,17 Millionen US-Dollar geschätzt. Davon entfiel mit 34,8 % der größte Umsatzanteil auf China. Für 2024 wird ein Wachstum von 247,53 Millionen US-Dollar prognostiziert, das bis 2031 einen Wert von über 829,70 Millionen US-Dollar erreichen soll. Laut der ReRAM-Marktanalyse ist der asiatisch-pazifische Raum, einschließlich China, Japan, Südkorea und Indien, der am schnellsten wachsende Markt für ReRAM. Die Region profitiert von rasanten technologischen Fortschritten, einer großen Produktionsbasis für Unterhaltungselektronik und steigenden Investitionen in IoT und KI.

• Im September 2024 erreichte China zwei bedeutende Meilensteine ​​in der Halbleiterchipindustrie: Die erfolgreiche Massenproduktion des weltweit ersten eingebetteten 28-nm-RRAM-Bildqualitätsanpassungschips und die Entwicklung des weltweit ersten 16-Bit-Quantenbit-Halbleiter-Mikroprozessorchips.

Nordamerika wird voraussichtlich bis 2031 einen Wert von über 738,03 Millionen US-Dollar erreichen, ausgehend von 191,09 Millionen US-Dollar im Jahr 2023. Bis 2024 wird ein Wachstum von 222,71 Millionen US-Dollar prognostiziert. Nordamerika, insbesondere die USA und Kanada, ist ein wichtiger Akteur im globalen ReRAM-Markt (Resistive Random Access Memory). Die führende Rolle der Region bei technologischen Innovationen, hohe Investitionen in Forschung und Entwicklung sowie die starke Unterhaltungselektronikindustrie tragen zu ihrer dominanten Position im ReRAM-Sektor bei. Darüber hinaus setzen nordamerikanische Rechenzentren zunehmend ReRAM ein, um Leistung und Effizienz zu steigern.

• Im April 2022 brachte CrossBar, ein US-amerikanischer Hersteller von nichtflüchtigem Speicher, seine neue Anwendung der ReRAM-Technologie für sichere Speicherung und Datenverarbeitung auf den Markt. Die Resistive RAM (ReRAM)-Technologie wird in sicheren Speicher- und Verarbeitungssystemen eingesetzt, wo Resistenz gegen Reverse Engineering und physische Angriffe unerlässlich ist.

Der Bedarf an schnellen, zuverlässigen Speicherlösungen und Datensicherheit in der Unterhaltungselektronik, Rechenzentren und anderen Anwendungen treibt die Einführung von ReRAM voran.

Europa ist ein bedeutender Akteur auf dem globalen ReRAM-Markt. Die zunehmende Verbreitung wird durch Fortschritte in der Automobiltechnologie, der industriellen Automatisierung und der Unterhaltungselektronik vorangetrieben. Der Fokus der Region auf Innovation und ihre starke industrielle Basis tragen zur wachsenden Nachfrage nach ReRAM-Lösungen bei.

• Im Juni 2024 plante der taiwanesische Halbleiterhersteller TSMC (TSMC) sein erstes europäisches Halbleiterwerk, bekannt als Fab 24. Das Joint Venture European Semiconductor Manufacturer Company (ESMC) wurde von den Herstellern Bosch, Infineon und NXP gegründet. TSMC übernimmt den Betrieb und den Bau des Werks. ESMC konzentriert sich außerdem auf die Produktion von nichtflüchtigen ReRAM- und MRAM-Speicherchips.

Lateinamerika ist ein aufstrebender Markt für ReRAM mit langsamerem, aber stetigem Wachstum. Die Region setzt zunehmend auf fortschrittliche Speichertechnologien, da die Nachfrage nach Unterhaltungselektronik und Technologieinfrastruktur steigt.

Der Nahe Osten und Afrika stellen einen kleineren Teil des ReRAM-Marktes dar, verzeichnen jedoch aufgrund von Investitionen in Technologie und Infrastrukturentwicklung ein Wachstum. Der Fokus der Region auf die Modernisierung der Technologie und den Ausbau der digitalen Infrastruktur trägt zur schrittweisen Einführung von ReRAM bei.